氧化镓晶圆

掺杂：Sn

导电性：n

晶面：(100)

双晶摇摆半高宽：≤250”

载流子浓度：≥1×1018 cm-3

位错密度：<1×105 cm-2

目前参考尺寸：4 inch

参考边：[010]方向

加工指标：晶面偏差：<±1°；直径：100.0 mm±0.5 mm；厚 度： 0.65 mm ± 0.02 mm；单面抛光，Ra<1 nm

掺杂：Sn

导电性：n

晶面：(100)

双晶摇摆半高宽：≤250”

载流子浓度：≥1×1018 cm-3

位错密度：<1×105 cm-2

目前参考尺寸：4 inch

参考边：[010]方向

加工指标：晶面偏差：<±1°；直径：100.0 mm±0.5 mm；厚 度： 0.65 mm ± 0.02 mm；单面抛光，Ra<1 nm